SI4874BDY-T1-E3, Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
![Фото 1/2 SI4874BDY-T1-E3, Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R](https://static.chipdip.ru/lib/193/DOC012193212.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/163/DOC012163150.jpg)
670 ֏
Мин. кол-во для заказа 200 шт.
Добавить в корзину 200 шт.
на сумму 134 000 ֏
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin SOIC N T/R
Технические параметры
Automotive | No |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 12 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 7 10V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 3000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | NRND |
PCB changed | 8 |
Pin Count | 8 |
PPAP | No |
Process Technology | TrenchFET |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | SOP |
Supplier Package | SOIC N |
Typical Fall Time (ns) | 15 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 21 4.5V |
Typical Rise Time (ns) | 10 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 57 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16 |
Id - непрерывный ток утечки | 16 A |
Pd - рассеивание мощности | 3 W |
Qg - заряд затвора | 25 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.75 mm |
Длина | 4.9 mm |
Другие названия товара № | SI4874BDY-E3 |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | TrenchFET |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | SI4 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Торговая марка | Vishay Semiconductors |
Упаковка / блок | SO-8 |
Ширина | 3.9 mm |
Вес, г | 0.29 |
Техническая документация
Datasheet SI4874BDY-T1-E3
pdf, 157 КБ
Datasheet SI4874BDY-T1-E3
pdf, 161 КБ