BCP56TA, Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
![Фото 1/2 BCP56TA, Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R](https://static.chipdip.ru/lib/166/DOC004166734.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/514/DOC006514427.jpg)
71 ֏
Мин. кол-во для заказа 3000 шт.
Кратность заказа 1000 шт.
3000 шт.
на сумму 213 000 ֏
Посмотреть аналоги17
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJT
Trans GP BJT NPN 80V 1A 2000 мВт 4-контактный (3 контакта) SOT-223 T / R
Технические параметры
Automotive | No |
Configuration | Single Dual Collector |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 100 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.5 50mA 500mA |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 80 |
Maximum DC Collector Current (A) | 1 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 2000 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 150(Min) |
Minimum DC Current Gain | 25 5mA 2V|40 150mA 2V|25 500mA 2V |
Minimum Operating Temperature (°C) | -65 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 4 |
PPAP | No |
Product Category | Bipolar Power |
Supplier Package | SOT-223 |
Supplier Temperature Grade | Automotive |
Tab | Tab |
Type | NPN |
Pd - рассеивание мощности | 2000 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 40 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 1 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 80 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 500 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 150 MHz |
Размер фабричной упаковки | 1000 |
Серия | BCP56 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-223-4 |
Вес, г | 1 |