FMMT413TD, Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R

Фото 1/4 FMMT413TD, Trans GP BJT NPN 50V 0.1A 500mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
2 690 ֏
Кратность заказа 500 шт.
500 шт. на сумму 1 345 000 ֏
Номенклатурный номер: 8001033518
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT NPN Avalanche

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Type NPN
Product Category Bipolar Small Signal
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 150
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 50
Maximum Emitter Base Voltage (V) 6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 0.8@1mA@10mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.15@1mA@10mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.1
Minimum DC Current Gain 50@10mA@10V
Maximum Power Dissipation (mW) 500
Maximum Transition Frequency (MHz) 150(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Automotive No
Standard Package Name SOT-23
Pin Count 3
Supplier Package SOT-23
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 0.98
Package Length 2.9
Package Width 1.3
PCB changed 3
Lead Shape Gull-wing
Pd - рассеивание мощности 330 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 3.05 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 50 at 10 mA, 10 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 50 at 10 mA, 10 V
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 0.1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 150 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 50 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 150 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 150 MHz
Размер фабричной упаковки 500
Серия FMMT41
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm
Maximum Collector Base Voltage 150 V
Maximum Collector Emitter Voltage 50 V
Maximum DC Collector Current 100 mA
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Maximum Operating Frequency 150 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 330 mW
Mounting Type Surface Mount
Package Type SOT-23
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 0.05

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet FMMT413TD
pdf, 145 КБ
Datasheet FMMT413TD
pdf, 364 КБ
Datasheet FMMT413TD
pdf, 370 КБ