FMMT6520TA, Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
172 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
3000 шт.
на сумму 516 000 ֏
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJT
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R
Технические параметры
Automotive | No |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Material | Si |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.9 3mA 30mA|0.85 2mA 20mA|0.75 1mA 10mA |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 350 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 1 5mA 50mA|0.5 3mA 30mA|0.35 2mA 20mA|0.3 1mA 10mA |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 350 |
Maximum DC Collector Current (A) | 0.5 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 330 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 50(Min) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Bipolar Small Signal |
Standard Package Name | SOT-23 |
Supplier Package | SOT-23 |
Type | PNP |
Pd - рассеивание мощности | 330 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 3.05 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 20 at 1 mA, 10 V, 30 at 10 mA, 10 V, 30 at 30 m |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 20 at 1 mA, 10 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 0.5 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 350 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 350 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 0.5 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 50 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | FMMT65 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.4 mm |
Base Product Number | FMMT6520 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 50mA, 10V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 50MHz |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Power - Max | 330mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Transistor Type | PNP |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 5mA, 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 350V |
Вес, г | 0.008 |
Техническая документация
Datasheet FMMT6520TA
pdf, 75 КБ
Datasheet FMMT6520TA
pdf, 67 КБ
Datasheet FMMT6520TA
pdf, 74 КБ
Datasheet FMMT6520TA
pdf, 67 КБ