MMST5551-7-F, Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
40 ֏
Мин. кол-во для заказа 3400 шт.
3400 шт.
на сумму 136 000 ֏
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJT
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
Технические параметры
Automotive | No |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1 5mA 50mA|1 1mA 10mA |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 180 |
Maximum Collector Cut-Off Current (nA) | 50 |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.2 5mA 50mA|0.15 1mA 10mA |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 160 |
Maximum DC Collector Current (A) | 0.2 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 6 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 200 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 300 |
Minimum DC Current Gain | 30 50mA 5V|80 10mA 5V|80 1mA 5V |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 3 |
Pin Count | 3 |
PPAP | No |
Product Category | Bipolar Small Signal |
Standard Package Name | SOT-323 |
Supplier Package | SOT-323 |
Type | NPN |
Pd - рассеивание мощности | 200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 2.2 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 30 |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 250 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 180 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 160 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 150 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 300 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | MMST5551 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-323-3 |
Ширина | 1.35 mm |
Base Product Number | MMST5551 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 200mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 50nA (ICBO) |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 300MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | SC-70, SOT-323 |
Power - Max | 200mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-323 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 200mV @ 5mA, 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 160V |
Collector-Emitter Breakdown Voltage | 160V |
Maximum DC Collector Current | 200mA |
Pd - Power Dissipation | 200mW |
Maximum Collector Base Voltage | 180 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 160 V |
Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
Maximum Operating Frequency | 300 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 200 mW |
Package Type | SOT-323(SC-70) |
Transistor Configuration | Single |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 184 КБ
Datasheet
pdf, 180 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet MMST5551-7-F
pdf, 172 КБ
Datasheet MMST5551-7-F
pdf, 112 КБ