Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › DXT5551-13, Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW ...

DXT5551-13, Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

115 ֏

Кратность заказа 2500 шт.

2500 шт. на сумму 287 500 ֏

Номенклатурный номер: 8001041795

Бренд: DIODES INC.

Описание

Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJT

Trans GP BJT NPN 160 В 0,6 A 1000 мВт 4-контактный (3 контакта) SOT-89 T / R

Технические параметры

Automotive	No
Configuration	Single Dual Collector
ECCN (US)	EAR99
EU RoHS	Compliant
Lead Shape	Flat
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)	1 1mA 10mA\|1 5mA 50mA
Maximum Collector Base Voltage (V)	180
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.15 1mA 10mA\|0.2 5mA 50mA
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	160
Maximum DC Collector Current (A)	0.6
Maximum Emitter Base Voltage (V)	6
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	1200
Maximum Transition Frequency (MHz)	300
Minimum DC Current Gain	80 1mA 5V\|80 10mA 5V\|30 50mA 5V
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Mounting	Surface Mount
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Tape and Reel
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	4
PPAP	No
Product Category	Bipolar Power
Standard Package Name	SOT
Supplier Package	SOT-89
Tab	Tab
Type	NPN
Pd - рассеивание мощности	1000 mW
Высота	1.6 mm
Длина	4.6 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	30 at 50 mA, 5 V
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	600 mA
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	180 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	160 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	200 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	6 V
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	300 MHz
Размер фабричной упаковки	2500
Серия	DXT5551
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-89-3
Ширина	2.6 mm
Collector-Emitter Breakdown Voltage	160V
Maximum DC Collector Current	600mA
Pd - Power Dissipation	1W
Transistor Type	NPN
Maximum Collector Base Voltage	180 V
Maximum Collector Emitter Voltage	160 V
Maximum Emitter Base Voltage	6 V
Maximum Operating Frequency	300 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	1.2 W
Mounting Type	Surface Mount
Package Type	SOT-89
Transistor Configuration	Single
Вес, г	1