DNLS350Y-13, Trans GP BJT NPN 50V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
![DNLS350Y-13, Trans GP BJT NPN 50V 3A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R](https://static.chipdip.ru/lib/067/DOC013067805.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
106 ֏
Кратность заказа 2500 шт.
2500 шт.
на сумму 265 000 ֏
Технические параметры
Brand: | Diodes Incorporated |
Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 180 mV |
Configuration: | Single |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum DC Collector Current: | 3 A |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-89-3 |
Pd - Power Dissipation: | 1 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | DNLS350 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet DNLS350Y-13
pdf, 494 КБ