ZXT10P40DE6TA, Trans GP BJT PNP 40V 2A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
![Фото 1/2 ZXT10P40DE6TA, Trans GP BJT PNP 40V 2A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R](https://static.chipdip.ru/lib/176/DOC004176632.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/518/DOC006518987.jpg)
190 ֏
Мин. кол-во для заказа 710 шт.
710 шт.
на сумму 134 900 ֏
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\Bipolar Transistors\GP BJT
Trans GP BJT PNP 40V 2A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
Технические параметры
Automotive | No |
Configuration | Single Quad Collector |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant |
Lead Shape | Gull-wing |
Material | Si |
Maximum Base Current (A) | 0.5 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 1 200mA 2A |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 40 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 40 |
Maximum DC Collector Current (A) | 2 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 5 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 1700 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 190(Typ) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Mounting | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Part Status | Active |
PCB changed | 6 |
Pin Count | 6 |
PPAP | No |
Product Category | Bipolar Power |
Standard Package Name | SOT-23 |
Supplier Package | SOT-23 |
Type | PNP |
Pd - рассеивание мощности | 1.1 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1.3 mm |
Длина | 3.1 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 300 at 10 mA at 2 V, 300 at 100 mA at 2 V, 180 at |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 at 10 mA at 2 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 40 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 210 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
Непрерывный коллекторный ток | 2 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | PNP |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 190 MHz |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | ZXT10 |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-23-6 |
Ширина | 1.8 mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet ZXT10P40DE6TA
pdf, 346 КБ
Datasheet ZXT10P40DE6TA
pdf, 345 КБ
Datasheet ZXT10P40DE6TA
pdf, 345 КБ