IRLZ14PBF, Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
![Фото 1/7 IRLZ14PBF, Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB](https://static.chipdip.ru/lib/827/DOC043827691.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/166/DOC004166247.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/515/DOC006515025.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/614/DOC007614548.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/728/DOC017728233.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/957/DOC033957880.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/957/DOC033957887.jpg)
800 ֏
Мин. кол-во для заказа 180 шт.
Добавить в корзину 180 шт.
на сумму 144 000 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Описание Транзистор полевой IRLZ14PBF от известного производителя VISHAY - это высокопроизводительный компонент для монтажа в отверстия (THT). С током стока до 7,2 А и напряжением сток-исток в 60 В, этот N-MOSFET является идеальным решением для различных силовых применений. Мощность транзистора достигает 43 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии всего 0,2 Ом обеспечивает эффективную работу устройства. Корпус TO220 гарантирует удобство установки и надежность использования. Используя IRLZ14PBF в вашем проекте, вы получите надежный и долговечный компонент с отличными характеристиками. Характеристики
Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 7.2 |
Напряжение сток-исток, В | 60 |
Мощность, Вт | 43 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.2 |
Корпус | TO220 |
Технические параметры
EU RoHS | Compliant |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Product Category | Power MOSFET |
Configuration | Single |
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±10 |
Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2 |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 10 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 200@5V |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 8.4(Max)@5V |
Typical Gate to Drain Charge (nC) | 6(Max) |
Typical Gate to Source Charge (nC) | 3.5(Max) |
Typical Reverse Recovery Charge (nC) | 340 |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 400@25V |
Typical Output Capacitance (pF) | 170 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 43000 |
Typical Fall Time (ns) | 26 |
Typical Rise Time (ns) | 110 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 17 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 9.3 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Automotive | No |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | TO-220AB |
Standard Package Name | TO-220 |
Military | No |
Mounting | Through Hole |
Package Height | 9.01(Max) |
Package Length | 10.41(Max) |
Package Width | 4.7(Max) |
PCB changed | 3 |
Tab | Tab |
Lead Shape | Through Hole |
Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
Pd - рассеивание мощности | 43 W |
Qg - заряд затвора | 8.4 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 5 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 110 ns |
Время спада | 26 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 3.5 S |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | IRLZ |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 17 ns |
Типичное время задержки при включении | 9.3 ns |
Торговая марка | Vishay / Siliconix |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220AB-3 |
Base Product Number | IRLZ14 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 10A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.4nC @ 5V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 |
Power Dissipation (Max) | 43W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 6A, 5V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-220AB |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
FET Feature | - |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Packaging | Tube |
Series | - |
Maximum Continuous Drain Current | 10 A |
Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +10 V |
Maximum Operating Temperature | +175 °C |
Maximum Power Dissipation | 43 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Package Type | TO-220AB |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 8.4 nC @ 5 V |
Width | 4.7mm |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 1038 КБ
Datasheet
pdf, 1016 КБ
Datasheet IRLZ14PBF
pdf, 1159 КБ
Datasheet IRLZ14PBF
pdf, 1160 КБ
Документация
pdf, 1159 КБ