SI2316BDS-T1-E3, Trans MOSFET N-CH 30V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
116 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт. —
112 ֏
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 348 000 ֏
Описание
Diodes, Transistors and Thyristors\FET Transistors\MOSFETs
Trans MOSFET N-CH 30V 3.9A 3-Pin SOT-23 T/R
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 3.9 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 50@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 3 |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 1250 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Junction Temperature (°C) | -55 to 150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Part Status | NRND |
| PCB changed | 3 |
| Pin Count | 3 |
| PPAP | No |
| Process Technology | TrenchFET |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | SOT |
| Supplier Package | SOT-23 |
| Typical Fall Time (ns) | 7|23 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 6.35 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 6.35@10V|3.16@4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 350@15V |
| Typical Rise Time (ns) | 11|65 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 11|12 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 4.5|20 |
| Другие названия товара № | SI2316BDS-E3 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | SI2 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 188 КБ
Datasheet SI2316BDS-T1-E3
pdf, 221 КБ
