ZXT849KTC, Trans GP BJT NPN 30V 7A 4200mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
![Фото 1/6 ZXT849KTC, Trans GP BJT NPN 30V 7A 4200mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC004172316.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/735/DOC006735304.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC012172283.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236151.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/763/DOC016763557.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/236/DOC021236155.jpg)
530 ֏
Кратность заказа 2500 шт.
2500 шт.
на сумму 1 325 000 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 30V
Технические параметры
EU RoHS | Compliant with Exemption |
ECCN (US) | EAR99 |
Part Status | Active |
HTS | 8541.29.00.95 |
Type | NPN |
Product Category | Bipolar Power |
Configuration | Single |
Number of Elements per Chip | 1 |
Maximum Collector Base Voltage (V) | 80 |
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) | 30 |
Maximum Emitter Base Voltage (V) | 7 |
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) | 0.00115@350mA@7A |
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) | 0.04@20mA@0.5A|0.18@20mA@2A|0.08@20mA@1A|0.28@350mA@7A |
Maximum DC Collector Current (A) | 7 |
Minimum DC Current Gain | 100@10mA@1V|100@1A@1V|40@20A@2V|100@7A@1V |
Maximum Power Dissipation (mW) | 4200 |
Maximum Transition Frequency (MHz) | 100(Typ) |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
Packaging | Tape and Reel |
Automotive | Yes |
Standard Package Name | TO-252 |
Pin Count | 3 |
Supplier Package | DPAK |
Military | No |
Mounting | Surface Mount |
Package Height | 2.39(Max) |
Package Length | 6.73(Max) |
Package Width | 6.22(Max) |
PCB changed | 2 |
Tab | Tab |
Lead Shape | Gull-wing |
Pd - рассеивание мощности | 4200 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 2.39 mm |
Длина | 6.73 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 7 A |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 80 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 230 mV |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
Непрерывный коллекторный ток | 7 A |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
Размер фабричной упаковки | 2500 |
Серия | ZXT849 |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | DPAK-3 |
Ширина | 6.22 mm |
Collector Emitter Voltage Max | 30В |
Continuous Collector Current | 7А |
DC Current Gain hFE Min | 100hFE |
DC Усиление Тока hFE | 100hFE |
Power Dissipation | 4.2Вт |
Квалификация | - |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
Частота Перехода ft | 100МГц |
Maximum Collector Base Voltage | 80 V |
Maximum Collector Emitter Voltage | 80 V |
Maximum DC Collector Current | 7 A |
Maximum Emitter Base Voltage | 7 V |
Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 4.2 W |
Mounting Type | Surface Mount |
Package Type | DPAK(TO-252) |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Type | NPN |
Вес, г | 1 |