DDC114EU-7-F, Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
53 ֏
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт. —
36 ֏
от 24000 шт. —
34 ֏
3000 шт.
на сумму 159 000 ֏
Описание
Описание Транзистор: NPN; биполярный Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
Технические параметры
| Brand: | Diodes Incorporated |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
| Configuration: | Dual |
| Continuous Collector Current: | 0.1 A |
| DC Collector/Base Gain hFE Min: | 100 |
| DC Current Gain hFE Max: | 600 |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | SOT-363-6 |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Peak DC Collector Current: | 100 mA |
| Product Category: | Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors-Pre-Biased |
| Series: | DDC114 |
| Subcategory: | Transistors |
| Transistor Polarity: | NPN |
| Typical Input Resistor: | 10 kOhms |
| Typical Resistor Ratio: | 1 |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 390 КБ
