Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › DJT4031N-13, Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW ...

DJT4031N-13, Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

154 ֏

Кратность заказа 2500 шт.

2500 шт. на сумму 385 000 ֏

Номенклатурный номер: 8001207896

Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярный (BJT) транзистор NPN 40V 3A 105MHz 1.2W Surface Mount SOT-223

Технические параметры

Base Product Number	DJT4031 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	3A
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	200 @ 1A, 1V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	105MHz
HTSUS	8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-261-4, TO-261AA
Power - Max	1.2W
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-223
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 300mA, 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Pd - рассеивание мощности:	2000 mW
Вид монтажа:	SMD/SMT
Категория продукта:	Биполярные транзисторы-BJT
Конфигурация:	Single
Максимальная рабочая температура:	+150 C
Максимальный постоянный ток коллектора:	5 A
Минимальная рабочая температура:	-55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO):	40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.:	40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	300 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO):	6 V
Подкатегория:	Transistors
Полярность транзистора:	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT):	105 MHz
Производитель:	Diodes Incorporated
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки:	2500
Серия:	DJT4031
Технология:	Si
Тип продукта:	BJTs-Bipolar Transistors
Торговая марка:	Diodes Incorporated
Упаковка / блок:	SOT-223-4
Вес, г	1