ZXTN19060CGTA, Trans GP BJT NPN 60V 7A 3000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
295 ֏
Кратность заказа 1000 шт.
1000 шт.
на сумму 295 000 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT NPN 60V 7A
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 5300 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.65 mm |
| Длина | 6.7 mm |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 25 at 7 A, 2 V |
| Конфигурация | Single |
| Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 500 at 100 mA, 2 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 7 A |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 160 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 50 mV |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 7 V |
| Непрерывный коллекторный ток | 7 A |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 130 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | ZXTN19060 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Diodes Incorporated |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Ширина | 3.7 mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet ZXTN19060CGTA
pdf, 476 КБ
