ZXT1053AKTC, Trans GP BJT NPN 75V 5A 4000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Фото 1/5 ZXT1053AKTC, Trans GP BJT NPN 75V 5A 4000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
220 ֏
Кратность заказа 2500 шт.
2500 шт. на сумму 550 000 ֏
Номенклатурный номер: 8001214093
Бренд: DIODES INC.

Технические параметры

Brand: Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO: 150 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 75 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 350 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 5 A
Emitter- Base Voltage VEBO: 7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Gain Bandwidth Product fT: 140 MHz
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current: 5 A
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: DPAK-3
Pd - Power Dissipation: 3.4 W
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Series: ZXT1053
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Collector Emitter Voltage Max 75В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 50hFE
DC Усиление Тока hFE 50hFE
Power Dissipation 4Вт
Квалификация AEC-Q101
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Полярность Транзистора NPN
Стиль Корпуса Транзистора TO-252
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 140МГц
Maximum Collector Base Voltage 150 V
Maximum Collector Emitter Voltage 75 V
Maximum DC Collector Current 5 A
Maximum Emitter Base Voltage 7 V
Maximum Operating Frequency 140 MHz
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 4 W
Minimum DC Current Gain 300
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 1
Package Type DPAK(TO-252)
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Transistor Type NPN
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 244 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 245 КБ