FZT591ATA, Trans GP BJT PNP 40V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

FZT591ATA, Trans GP BJT PNP 40V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
220 ֏
Мин. кол-во для заказа 610 шт.
610 шт. на сумму 134 200 ֏
Номенклатурный номер: 8001219861
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - BJT PNP Medium Power

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 2 W
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.65 mm (Max)
Длина 6.7 mm (Max)
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 30 at 2 A, 5 V
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 300
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 7 V
Непрерывный коллекторный ток 1 A
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора PNP
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 150 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия FZT591
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-223-4
Ширина 3.7 mm (Max)
Вес, г 0.112