MMBT3904LP-7B, Trans GP BJT NPN 40V 0.2A 1000mW 3-Pin X1-DFN T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
66 ֏
Мин. кол-во для заказа 2100 шт.
2100 шт.
на сумму 138 600 ֏
Описание
Биполярные транзисторы - BJT General Purpose Tran X1-DFN1006-3,10K
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 1 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 0.5 mm |
Длина | 1 mm |
Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
Конфигурация | Single |
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. | 300 |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальный постоянный ток коллектора | 200 mA |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 40 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
Непрерывный коллекторный ток | 200 mA |
Подкатегория | Transistors |
Полярность транзистора | NPN |
Размер фабричной упаковки | 10000 |
Серия | MMBT3904LP |
Технология | Si |
Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | X1-DFN1006-3 |
Ширина | 0.6 mm |
Collector Emitter Voltage Max | 40В |
Continuous Collector Current | 200мА |
DC Current Gain hFE Min | 30hFE |
DC Усиление Тока hFE | 30hFE |
Power Dissipation | 400мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Стиль Корпуса Транзистора | X1-DFN1006 |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Частота Перехода ft | 300МГц |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 357 КБ
Datasheet MMBT3904LP-7B
pdf, 396 КБ