Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › FMMT491ATA, Биполярный транзистор, NPN, 40 В ...

FMMT491ATA, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 1 А, 0.5Вт

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

75 ֏

Мин. кол-во для заказа 27 шт.

от 126 шт. — 62 ֏

27 шт. на сумму 2 025 ֏

Номенклатурный номер: 8001717123

Бренд: DIODES INC.

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 1 А, 0.5Вт

Технические параметры

Корпус	sot-23
Pd - рассеивание мощности	500 mW (1/2 W)
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.1 mm
Длина	3 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	300 at 1 mA at 5 V, 300 at 500 mA at 5 V, 200 at 1
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	300 at 1 mA at 5 V
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	40 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	40 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.5 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	1 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	150 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	FMMT491
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.4 mm
Base Product Number	FMMT491A ->
Current - Collector (Ic) (Max)	1A
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	300 @ 500mA, 5V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	150MHz
HTSUS	8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max	500mW
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-23-3
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	40V
Brand	Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO	40 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	0.5 V
Configuration	Single
Continuous Collector Current	1 A
DC Current Gain HFE Max	300 at 1 mA, 5 V
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	3000
Gain Bandwidth Product FT	150 MHz
Manufacturer	Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current	1 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Packaging	Cut Tape or Reel
Pd - Power Dissipation	500 mW
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
Product Type	BJTs-Bipolar Transistors
Series	FMMT491
Subcategory	Transistors
Transistor Polarity	NPN
Maximum Collector Base Voltage	40 V
Maximum Collector Emitter Voltage	40 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	150 MHz
Maximum Power Dissipation	500 mW
Minimum DC Current Gain	300
Number of Elements per Chip	1
Package Type	SOT-23
Pin Count	3
Transistor Configuration	Single
Вес, г	0.05