FZT751TA, Биполярный транзистор PNP 60В 3A SOT-223
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 ֏
Мин. кол-во для заказа 14 шт.
от 65 шт. —
124 ֏
от 130 шт. —
110 ֏
от 260 шт. —
102 ֏
14 шт.
на сумму 2 100 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
Биполярный транзистор PNP 60В 3A SOT-223
Технические параметры
| Корпус | SOT-223 | |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0,6 В | |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C | |
| Максимальная рабочая частота | 140 MHz | |
| Количество элементов на ИС | 1 | |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1.25 V | |
| Длина | 6.7мм | |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 80 V | |
| Transistor Configuration | Одинарный | |
| Производитель | DiodesZetex | |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 60 В | |
| Тип корпуса | SOT-223 | |
| Максимальное рассеяние мощности | 2 Вт | |
| Тип монтажа | Surface Mount | |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C | |
| Ширина | 3.7мм | |
| Максимальный пост. ток коллектора | 3 A | |
| Тип транзистора | PNP | |
| Высота | 1.65мм | |
| Число контактов | 3 + Tab | |
| Размеры | 1.65 x 6.7 x 3.7мм | |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В | |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 40 | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage | 60V | |
| Maximum DC Collector Current | 3A | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Transistor Type | PNP | |
| Brand: | Diodes Incorporated | |
| Collector- Base Voltage VCBO: | 80 V | |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 60 V | |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 450 mV | |
| Configuration: | Single | |
| Continuous Collector Current: | -3 A | |
| Emitter- Base Voltage VEBO: | 7 V | |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 | |
| Gain Bandwidth Product fT: | 140 MHz | |
| Manufacturer: | Diodes Incorporated | |
| Maximum DC Collector Current: | 3 A | |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C | |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C | |
| Mounting Style: | SMD/SMT | |
| Package / Case: | SOT-223-4 | |
| Pd - Power Dissipation: | 2 W | |
| Product Category: | Bipolar Transistors-BJT | |
| Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors | |
| Series: | FZT751 | |
| Subcategory: | Transistors | |
| Technology: | Si | |
| Transistor Polarity: | PNP | |
| Maximum Collector Base Voltage | 80 V | |
| Maximum Collector Emitter Voltage | -60 V | |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V | |
| Maximum Operating Frequency | 140 MHz | |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
| Maximum Power Dissipation | 2 W | |
| Minimum DC Current Gain | 100 | |
| Mounting Type | Surface Mount | |
| Number of Elements per Chip | 1 | |
| Package Type | SOT-223(SC-73) | |
| Pin Count | 3+Tab | |
| Вес, г | 0.85 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 531 КБ
Datasheet FZT751TA
pdf, 272 КБ
Datasheet FZT751
pdf, 577 КБ
