TCET1100G, Оптоизолятор 5кВ транзисторный выход 4DIP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
98 ֏
Мин. кол-во для заказа 21 шт.
от 56 шт. —
89 ֏
от 100 шт. —
80 ֏
от 300 шт. —
76 ֏
Добавить в корзину 21 шт.
на сумму 2 058 ֏
Описание
Оптоэлектроника / Оптопары / Транзисторные оптопары
Оптоизолятор 5кВ транзисторный выход 4DIP
Технические параметры
Корпус | DIP-4 | |
Brand | Vishay Semiconductors | |
Configuration | 1 Channel | |
Current Transfer Ratio | 600% | |
Factory Pack Quantity | 100 | |
Height | 3.6 mm | |
If - Forward Current | 60 mA | |
Isolation Voltage | 5000 Vrms | |
Length | 4.75 mm | |
Manufacturer | Vishay | |
Maximum Collector Current | 50 mA | |
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage | 0.3 V | |
Maximum Collector Emitter Voltage | 70 V | |
Maximum Operating Temperature | +100 C | |
Minimum Operating Temperature | -40 C | |
Number of Channels | 1 Channel | |
Output Type | NPN Phototransistor | |
Package / Case | PDIP-4 | |
Packaging | Tube | |
Pd - Power Dissipation | 265 mW | |
Product Category | Transistor Output Optocouplers | |
RoHS | Details | |
Vf - Forward Voltage | 1.6 V | |
Vr - Reverse Voltage | 6 V | |
Width | 6.3 mm | |
Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 118 КБ