BSS123, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 0.2А, 350мВт [SOT-23]

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

26950 шт. с центрального склада, срок 13 дней

27 ֏

Кратность заказа 110 шт.

от 1100 шт. — 9 ֏

от 4070 шт. — 7 ֏

Добавить в корзину 110 шт. на сумму 2 970 ֏

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8001881321

транзисторы полевые импортные

MOSFET-транзистор Single N-канальный 100В 0.2А [SOT-23]

Структура	N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В	100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А	0.17
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт	0.36
Корпус	sot23
Крутизна характеристики S,А/В	0.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В	2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм	6000
Температура, С	-55…+150
кол-во в упаковке	3000
Case	SOT23
Drain current	0.16A
Drain-source voltage	100V
Gate charge	2.5nC
Gate-source voltage	±20V
Kind of channel	enhanced
Kind of package	reel, tape
Manufacturer	YANGJIE TECHNOLOGY
Mounting	SMD
On-state resistance	5.5Ω
Polarisation	unipolar
Power dissipation	0.35W
Pulsed drain current	0.8A
Technology	TRENCH POWER MV
Type of transistor	N-MOSFET
Вес, г	0.01