BSC022N04LSATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 820 ֏
от 2 шт. —
2 510 ֏
от 10 шт. —
2 220 ֏
1 шт.
на сумму 2 820 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой BSC022N04LSATMA1 от производителя INFINEON – это высокопроизводительный N-MOSFET компонент, предназначенный для использования в современных электронных устройствах. С монтажом типа SMD, он легко интегрируется в печатные платы. Этот транзистор способен выдерживать ток стока до 100 А и напряжение сток-исток 40 В, обеспечивая мощность до 69 Вт. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,0022 Ом, что свидетельствует о высокой эффективности. Экономичный корпус PG-TDSON-8 гарантирует компактность и надежность устройства. Используя BSC022N04LSATMA1 в своих проектах, вы получите надежный и долговечный компонент для управления мощной нагрузкой. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 100 |
| Напряжение сток-исток, В | 40 |
| Мощность, Вт | 69 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0022 |
| Корпус | PG-TDSON-8 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Fall Time | 5 ns |
| Forward Transconductance - Min | 90 S |
| Height | 1.27 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| Length | 5.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TDSON-8 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSC022N04LS SP001059844 |
| Pd - Power Dissipation | 69 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 52 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1.8 mOhms |
| Rise Time | 6.8 ns |
| Series | OptiMOS 3 |
| Technology | Si |
| Tradename | OptiMOS |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 26 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 6.1 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.2 V |
| Width | 5.15 mm |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 134 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.193 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1381 КБ
Datasheet BSC022N04LSATMA1
pdf, 1457 КБ
