IPP50R280CEXKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 030 ֏
от 2 шт. —
1 590 ֏
от 5 шт. —
1 250 ֏
от 10 шт. —
1 140 ֏
1 шт.
на сумму 2 030 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 500V, 18.1A, TO-220, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:18.1A, Drain Source Voltage Vds:500V, On Resistance Rds(on):0.25ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:13V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.25Ом |
| Power Dissipation | 119Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | CoolMOS CE |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 13В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Непрерывный Ток Стока | 18.1А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Вес, г | 2.98 |
Техническая документация
Datasheet IPP50R280CEXKSA1
pdf, 2146 КБ
Документация
pdf, 2224 КБ
