IPP50R190CEXKSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 640 ֏
от 2 шт. —
2 160 ֏
от 3 шт. —
1 910 ֏
1 шт.
на сумму 2 640 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IPP50R190CEXKSA1 от производителя INFINEON представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для монтажа THT. Этот мощный полупроводниковый элемент способен работать при токе стока 18,5 А и напряжении сток-исток до 500 В, что делает его идеальным для широкого спектра электронных применений. С номинальной мощностью 127 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,19 Ом, данный транзистор обеспечивает высокую эффективность и надежность в эксплуатации. Корпус PG-TO220-3 обеспечивает удобство монтажа и долговечность использования. Если вы ищете надежный и мощный транзистор для своего проекта, модель IPP50R190CEXKSA1 станет отличным выбором. Обратите внимание, что для заказа необходимо использовать полное обозначение товара без пробелов и специальных символов: IPP50R190CEXKSA1. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 18.5 |
| Напряжение сток-исток, В | 500 |
| Мощность, Вт | 127 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.19 |
| Корпус | PG-TO220-3 |
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 500 |
| Fall Time | 7.5 ns |
| Height | 15.65 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 24.8 A |
| Length | 10 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | IPP50R190CE SP000850802 |
| Pd - Power Dissipation | 152 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 47.2 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 170 mOhms |
| Rise Time | 8.5 ns |
| RoHS | Details |
| Series | CoolMOS CE |
| Technology | Si |
| Tradename | CoolMOS |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 54 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 9.5 ns |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Width | 4.4 mm |
| Case | PG-TO220-3 |
| Drain current | 18.5A |
| Drain-source voltage | 500V |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Mounting | THT |
| On-state resistance | 0.19Ω |
| Polarisation | unipolar |
| Power dissipation | 127W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Channel Type | N |
| Forward Diode Voltage | 0.85V |
| Maximum Continuous Drain Current | 18.5 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 190 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 550 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Maximum Power Dissipation | 127 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 47.2 nC @ 10 V |
| Вес, г | 2.78 |
