BSP716NH6327XTSA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 020 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
750 ֏
от 10 шт. —
640 ֏
от 21 шт. —
580 ֏
2 шт.
на сумму 2 040 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой BSP716NH6327XTSA1 от INFINEON представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент для SMD монтажа. Он отличается стоковым током на уровне 2,3 А и напряжением сток-исток, достигающим 75 В. Этот транзистор обладает мощностью 1,8 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,18 Ом, что обеспечивает эффективную работу в различных электронных схемах. Корпус SOT223 гарантирует легкость интеграции в печатные платы. Идеален для использования в силовой электронике, благодаря своим техническим характеристикам. Для приобретения ищите артикул BSP716NH6327XTSA1 в нашем ассортименте. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 2.3 |
Напряжение сток-исток, В | 75 |
Мощность, Вт | 1.8 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.18 |
Корпус | SOT223 |
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | Single |
Factory Pack Quantity | 1000 |
Fall Time | 16.7 ns |
Height | 1.6 mm |
Id - Continuous Drain Current | 2.3 A |
Length | 6.5 mm |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | SOT-223-4 |
Packaging | Cut Tape |
Part # Aliases | BSP716N H6327 SP001087514 |
Pd - Power Dissipation | 1.8 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 8.7 nC |
Qualification | AEC-Q100 |
Rds On - Drain-Source Resistance | 160 mOhms |
Rise Time | 5.5 ns |
RoHS | Details |
Technology | Si |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 50.1 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 4.6 ns |
Unit Weight | 0.003951 oz |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 75 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 800 mV |
Width | 3.5 mm |
Вес, г | 0.266 |
Техническая документация
Datasheet BSP716NH6327XTSA1
pdf, 584 КБ