IPW60R125P6XKSA1
![Фото 1/3 IPW60R125P6XKSA1](https://static.chipdip.ru/lib/806/DOC043806615.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/368/DOC041368142.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517015.jpg)
10 000 ֏
от 2 шт. —
9 200 ֏
от 5 шт. —
8 700 ֏
от 10 шт. —
8 400 ֏
1 шт.
на сумму 10 000 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IPW60R125P6XKSA1 от производителя Infineon представляет собой мощный компонент в корпусе PG-TO247, предназначенный для монтажа типа THT. Этот N-MOSFET транзистор характеризуется током стока 30 А и напряжением сток-исток 600 В, что обеспечивает его применение в высоковольтных схемах. С мощностью 219 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,125 Ом, он обеспечивает высокую эффективность и надежность в работе. Компонент IPW60R125P6XKSA1 идеален для использования в источниках питания, инверторах и других применениях, где требуется управление большими токами. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | THT |
Ток стока, А | 30 |
Напряжение сток-исток, В | 600 |
Мощность, Вт | 219 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.125 |
Корпус | PG-TO247 |
Технические параметры
Brand | Infineon Technologies |
Channel Mode | Enhancement |
Configuration | 1 N-Channel |
Factory Pack Quantity | 240 |
Fall Time | 5 ns |
Height | 21.1 mm |
Id - Continuous Drain Current | 30 A |
Length | 16.13 mm |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +150 C |
Minimum Operating Temperature | -55 C |
Mounting Style | Through Hole |
Number of Channels | 1 Channel |
Package / Case | TO-247-3 |
Packaging | Tube |
Part # Aliases | IPW60R125P6 SP001114656 |
Pd - Power Dissipation | 219 W |
Product Category | MOSFET |
Qg - Gate Charge | 56 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance | 113 mOhms |
Rise Time | 9 ns |
RoHS | Details |
Series | CoolMOS P6 |
Technology | Si |
Tradename | CoolMOS |
Transistor Polarity | N-Channel |
Transistor Type | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 44 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 14 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | +/-20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 3.5 V |
Width | 5.21 mm |
Brand: | Infineon Technologies |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 240 |
Fall Time: | 5 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | IPW60R125P6 SP001114656 |
Pd - Power Dissipation: | 219 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 56 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 113 mOhms |
Rise Time: | 9 ns |
Series: | CoolMOS P6 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Tradename: | CoolMOS |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 44 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3.5 V |
Maximum Continuous Drain Current | 30 A |
Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
Mounting Type | SMD |
Package Type | PG-TO 247 |
Вес, г | 6.17 |