RFN30TS6DGC11
![RFN30TS6DGC11](https://static.chipdip.ru/lib/341/DOC024341966.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 шт. с центрального склада, срок 3 недели
5 600 ֏
от 2 шт. —
4 980 ֏
от 5 шт. —
4 580 ֏
1 шт.
на сумму 5 600 ֏
Описание
Электроэлемент
Diodes - General Purpose, Power, Switching 600V Vrm 30A Io Recovery Diode
Технические параметры
Configuration | Dual Common Cathode |
Forward Current | 30000(mA) |
Forward Voltage | 1.55(V) |
Maximum Forward Current | 30000(mA) |
Mounting | Through Hole |
Operating Temp Range | -55C to 150C |
Operating Temperature Classification | Military |
Package Type | TO-247 |
Packaging | Bulk |
Peak Forward Voltage | 1.55(V) |
Peak Non-Repetitive Surge Current | 120(A) |
Peak Rep Rev Volt | 600(V) |
Peak Reverse Current | 10(uA) |
Peak Reverse Recovery Time | 55(ns) |
Pin Count | 3+Tab |
Product Length (mm) | 15.9(mm) |
Rad Hardened | No |
Rectifier Type | Switching Diode |
Rev Curr | 10(uA) |
Rev Recov Time | 55(ns) |
Diode Technology | Silicon Junction |
Maximum Continuous Forward Current | 30A |
Maximum Forward Voltage Drop | 1.55V |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 2 |
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current | 120A |
Peak Reverse Repetitive Voltage | 600V |
Вес, г | 8.633 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
Офис «ЧИП и ДИП» | 7 августа1 | бесплатно |
HayPost | 11 августа1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг