SQ3427AEEV-T1_GE3
![SQ3427AEEV-T1_GE3](https://static.chipdip.ru/lib/587/DOC041587795.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 280 ֏
от 2 шт. —
970 ֏
от 10 шт. —
750 ֏
1 шт.
на сумму 1 280 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание 60V 5.3A 95mOhm@10V,4.5A 5W 2.5V@250uA P Channel TSOP-6-1.5mm MOSFETs ROHS
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 5.3A(Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
FET Feature | - |
FET Type | P-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 30V |
Manufacturer | Vishay Siliconix |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
Package / Case | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Packaging | Tape & Reel(TR) |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 5W(Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 95mOhm @ 4.5A, 10V |
Series | Automotive, AEC-Q101, TrenchFETВ® |
Supplier Device Package | 6-TSOP |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250ВµA |
Вес, г | 0.54 |
Техническая документация
Документация
pdf, 237 КБ