AOD403
![Фото 1/3 AOD403](https://static.chipdip.ru/lib/757/DOC043757655.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/294/DOC005294471.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/657/DOC013657963.jpg)
1 150 ֏
от 2 шт. —
800 ֏
от 10 шт. —
570 ֏
1 шт.
на сумму 1 150 ֏
Номенклатурный номер: 8001945963
Бренд: Alpha & Omega
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой AOD403 производства ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR является высококачественным N-MOSFET компонентом, предназначенным для монтажа в SMD-технологии. Этот полевой транзистор обладает током стока 55 А, что позволяет ему справляться с серьезными нагрузками, а напряжение сток-исток составляет 30 В, что делает его универсальным решением для широкого спектра электронных применений. Мощность устройства достигает 45 Вт, предоставляя достаточный запас для стабильной работы. Особенно впечатляет сопротивление в открытом состоянии, равное всего 0,008 Ом, что свидетельствует о высокой эффективности устройства. Корпус TO252 гарантирует надежность и долговечность компонента. Приобретайте AOD403 для уверенной работы ваших электронных схем. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | N-MOSFET |
Монтаж | SMD |
Ток стока, А | 55 |
Напряжение сток-исток, В | 30 |
Мощность, Вт | 45 |
Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.008 |
Корпус | TO252 |
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Continuous Drain Current | 70(A) |
Drain Current (Max) | 70 A |
Drain Efficiency | Not Required% |
Drain-Source On-Volt | 30(V) |
Frequency (Max) | Not Required MHz |
Gate-Source Voltage (Max) | '±25(V) |
Mounting | Surface Mount |
Noise Figure | Not Required dB |
Number of Elements | 1 |
Operating Temp Range | -55C to 175C |
Operating Temperature Classification | Military |
Output Power (Max) | Not Required W |
Package Type | DPAK |
Pin Count | 2+Tab |
Polarity | P |
Power Dissipation | 90(W) |
Power Gain | Not Required dB |
Rad Hardened | No |
Type | Power MOSFET |
Automotive | Unknown |
Channel Type | P |
Configuration | Single |
ECCN (US) | EAR99 |
EU RoHS | Compliant with Exemption |
Maximum Continuous Drain Current (A) | 70 |
Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 6.2@20V |
Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 |
Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
Maximum Power Dissipation (mW) | 90000 |
Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
Number of Elements per Chip | 1 |
Part Status | Active |
PCB changed | 2 |
PPAP | Unknown |
Product Category | Power MOSFET |
Standard Package Name | TO-252 |
Supplier Package | DPAK |
Tab | Tab |
Typical Fall Time (ns) | 22 |
Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 51 |
Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 51@10V |
Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2890@15V |
Typical Rise Time (ns) | 12 |
Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 45 |
Typical Turn-On Delay Time (ns) | 16 |
Вес, г | 0.4 |