IRF200B211
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
800 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
530 ֏
от 10 шт. —
414 ֏
2 шт.
на сумму 1 600 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 9А; Idm: 34А;
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 12A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 790pF @ 50V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 80W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170 mOhm @ 7.2A, 10V |
| Series | HEXFETВ®, StrongIRFETв(ў |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.9V @ 50ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Pd - рассеивание мощности | 80 W |
| Qg - заряд затвора | 15.3 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 170 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 9.5 ns |
| Время спада | 6.5 ns |
| Высота | 15.65 mm |
| Длина | 10 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | StrongIRFET |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 13 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Типичное время задержки выключения | 11.3 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6.5 ns |
| Торговая марка | Infineon / IR |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Package Type | TO-220 |
| Вес, г | 3.235 |
