BC857A

BC857A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
410 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт.176 ֏
от 10 шт.93 ֏
от 100 шт.28 ֏
2 шт. на сумму 820 ֏
Номенклатурный номер: 8001951652
Бренд: DIODES INC.

Описание

Электроэлемент
TRANSISTOR, PNP, 45V, 0.1A, SOT23-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-45V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:300mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:180hFE;

Технические параметры

Brand Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 650 mV
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hfe Min 125
DC Current Gain hFE Max 250
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Factory Pack Quantity 3000
Gain Bandwidth Product fT 200 MHz
Height 1 mm
Length 3.05 mm
Manufacturer Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current 0.1 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -65 C
Mounting Style SMD/SMT
Package / Case SOT-23-3
Packaging Cut Tape
Pd - Power Dissipation 300 mW
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Series BC857A
Transistor Polarity PNP
Unit Weight 0.000282 oz
Width 1.4 mm
Collector Emitter Voltage Max 45В
Continuous Collector Current 100мА
DC Current Gain hFE Min 180hFE
Power Dissipation 300мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Полярность Транзистора PNP
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 200МГц
Вес, г 0.008

Техническая документация

Datasheet
pdf, 382 КБ
Datasheet
pdf, 35 КБ