IPD122N10N3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 940 ֏
от 2 шт. —
1 500 ֏
от 5 шт. —
1 260 ֏
от 10 шт. —
1 180 ֏
1 шт.
на сумму 1 940 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 100 В 59 А 94 Вт PG-TO252-3
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 59A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 50V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 94W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.2mOhm @ 46A, 10V |
| Series | OptiMOSв(ў |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46ВµA |
| Время | задержки включения/выключения-24/14 нс |
| Диапазон рабочих температур | -55…+175 °С |
| Емкость, пФ | 2500 |
| Заряд затвора, нКл | 26 |
| Корпус | TO-252(DPAK) |
| Максимально допустимое напряжение | затвор-исток(Vgs)±20 В |
| Максимальное напряжение сток-исток, В | 100 |
| Минимальное сопротивление открытого канала, мОм | 12.2 |
| Мощность | рассеиваемая(Pd)-94 Вт |
| Напряжение | пороговое затвора(Vgs th)-3.5 В |
| Описание | MOSFET N-CH 100V 59A TO252-3 |
| Тип | MOSFET |
| Тип проводимости | N |
| Упаковка | REEL, 2500 шт. |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 59 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Package Type | PG-TO252-3 |
| Вес, г | 0.497 |
Техническая документация
Документация
pdf, 503 КБ
