IPD80R450P7ATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 510 ֏
от 2 шт. —
2 030 ֏
от 5 шт. —
1 720 ֏
от 10 шт. —
1 600 ֏
1 шт.
на сумму 2 510 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 800V, 11A, TO-252, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:11A, Drain Source Voltage Vds:800V, On Resistance Rds(on):0.38ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:3V, Power Dissipation , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-252 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.477 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1199 КБ
Документация
pdf, 954 КБ
