IPD096N08N3GATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 810 ֏
от 2 шт. —
1 410 ֏
от 5 шт. —
1 100 ֏
от 10 шт. —
990 ֏
1 шт.
на сумму 1 810 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 80V, 73A, TO-252; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:73A; Drain Source Voltage Vds:80V; On Resistance Rds(on):0.0079ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2.8V; Pow
Технические параметры
| Automotive | Yes |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 73 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 9.6@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 80 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 3.5 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 100000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~175 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Process Technology | OptiMOS 3 |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Supplier Package | DPAK |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 26 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 26@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1810@40V |
| Drain Source On State Resistance | 0.0079Ом |
| Power Dissipation | 100Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS 3 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Непрерывный Ток Стока | 73А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.8В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Техническая документация
Документация
pdf, 354 КБ
