SIRA20DP-T1-RE3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 980 ֏
от 2 шт. —
1 540 ֏
от 5 шт. —
1 220 ֏
от 10 шт. —
1 110 ֏
1 шт.
на сумму 1 980 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 25V, 100A, POWERPAK SO, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:100A, Drain Source Voltage Vds:25V, On Resistance Rds(on):0.00048ohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:2.1V , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | PowerPAK-SO-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 104 W |
| Product Category: | MOSFETs |
| Product Type: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 200 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 580 uOhms |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 25 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +16 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Вес, г | 0.16 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 407 КБ
Документация
pdf, 406 КБ
Трёхмерное изображение изделия
pdf, 66 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 49 КБ
