TTA004B.Q

Фото 1/2 TTA004B.Q
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
56 шт. с центрального склада, срок 3 недели
660 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
2 шт. на сумму 1 320 ֏
Альтернативные предложения3
Номенклатурный номер: 8001963590
Бренд: Toshiba

Описание

Электроэлемент
Описание Транзистор биполярный TO225

Технические параметры

Brand Toshiba
Collector- Base Voltage VCBO -160 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max -160 V
Collector-Emitter Saturation Voltage -500 mV
Configuration Single
Continuous Collector Current -1.5 A
DC Collector/Base Gain hfe Min 140
DC Current Gain hFE Max 280
Emitter- Base Voltage VEBO -6 V
Factory Pack Quantity 250
Gain Bandwidth Product fT 100 MHz
Manufacturer Toshiba
Maximum DC Collector Current -1.5 A
Maximum Operating Temperature +150 C
Minimum Operating Temperature -55 C
Mounting Style Through Hole
Package / Case TO-126N-3
Pd - Power Dissipation 1.5 W
Product Category Bipolar Transistors-BJT
RoHS Details
Series TTA004B
Technology Si
Transistor Polarity PNP
Base Product Number TC7W02 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 1.5A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 140 @ 100mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 100MHz
HTSUS 8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature 150В°C (TJ)
Package Bulk
Power - Max 10W
RoHS Status RoHS Compliant
Supplier Device Package TO-126N
Transistor Type PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 160V
кол-во в упаковке 1
Вес, г 0.85

Техническая документация

Datasheet TTA004B,Q
pdf, 184 КБ

Сроки доставки

Доставка в регион Ереван

Офис «ЧИП и ДИП» 7 августа1 бесплатно
HayPost 11 августа1 1 650 ֏2
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг