IPD95R2K0P7ATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 810 ֏
от 2 шт. —
1 370 ֏
от 5 шт. —
1 080 ֏
от 10 шт. —
970 ֏
1 шт.
на сумму 1 810 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание MOSFET транзистор PG-TO252-3
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 4A(Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 950V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330pF @ 400V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Packaging | Tape & Reel(TR) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 37W(Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 1.7A, 10V |
| Series | CoolMOSв(ў P7 |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 80ВµA |
| Id - непрерывный ток утечки | 4 A |
| Pd - рассеивание мощности | 37 W |
| Qg - заряд затвора | 10 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 950 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 13 ns |
| Время спада | 18 ns |
| Другие названия товара № | IPD95R2K0P7 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | CoolMOS |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Серия | P7 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 41 ns |
| Типичное время задержки при включении | 6 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | DPAK-3 |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 1.71Ом |
| Power Dissipation | 37Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | CoolMOS P7 |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 950В |
| Непрерывный Ток Стока | 4А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 37Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.71Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.002 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 950 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.5V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-252 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.426 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 983 КБ
