SCS304AMC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
18 шт. с центрального склада, срок 3 недели
3 920 ֏
от 2 шт. —
3 340 ֏
от 5 шт. —
3 010 ֏
от 10 шт. —
2 820 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 920 ֏
Альтернативные предложения1
Описание
Электроэлемент
SIC SCHOTTKY DIODE, 650V, 4A, TO-220FM; Product Range:-; Diode Configuration:Single; Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max:650V; Continuous Forward Current If:4A; Total Capacitive Charge Qc:11nC; Diode Case Style:TO-220FM;
Технические параметры
| Capacitance @ Vr, F | 200pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 4A(DC) |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 20ВµA @ 650V |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Manufacturer | Rohm Semiconductor |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | 175В°C(Max) |
| Package / Case | TO-220-2 Full Pack |
| Packaging | - |
| Part Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0ns |
| Series | - |
| Speed | No Recovery Time > 500mA(Io) |
| Supplier Device Package | TO-220FM |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 4A |
| Average Forward Current | 4А |
| Repetitive Peak Reverse Voltage | 650В |
| Количество Выводов | 2 Вывода |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Полный Емкостной Заряд Qc | 11нКл |
| Стиль Корпуса Диода | TO-220FM |
| Тип Монтажа Диода | Сквозное Отверстие |
| Вес, г | 3 |
Техническая документация
Сроки доставки
Доставка в регион Ереван
| Офис «ЧИП и ДИП» | 22 июля1 | бесплатно |
| HayPost | 25 июля1 | 1 650 ֏2 |
1 ориентировочно, дата доставки зависит от даты оплаты или подтверждения заказа
2 для посылок массой до 1 кг
