IRF7853
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 240 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
930 ֏
от 10 шт. —
830 ֏
от 100 шт. —
730 ֏
2 шт.
на сумму 2 480 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:8.3A, Drain Source Voltage Vds:100V, On Resistance Rds(on):18mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:-, Power Dissipation Pd:-, No. of Pins:8Pins , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 8.3 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 18@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 100 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2500 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Process Technology | HEXFET |
| Standard Package Name | SOP |
| Supplier Package | SOIC |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 28 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 28@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1640@25V |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Документация
pdf, 217 КБ
Datasheet IRF7853
pdf, 208 КБ
