IRF7831
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 250 ֏
от 2 шт. —
1 810 ֏
от 5 шт. —
1 570 ֏
от 10 шт. —
1 490 ֏
1 шт.
на сумму 2 250 ֏
Описание
Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 30V, 21A, 150DEG C, 2.5W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):0.0031ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2
Технические параметры
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 21A(Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6240pF @ 15V |
| Manufacturer | Infineon Technologies |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Package / Case | 8-SOIC(0.154", 3.90mm Width) |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W(Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6mOhm @ 20A, 10V |
| Series | HEXFETВ® |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.35V @ 250ВµA |
| Вес, г | 0.15 |
Техническая документация
Datasheet IRF7831TRPBF
pdf, 264 КБ
IRF7831
pdf, 171 КБ
