BSP149
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 030 ֏
от 2 шт. —
1 590 ֏
от 5 шт. —
1 270 ֏
от 10 шт. —
1 160 ֏
1 шт.
на сумму 2 030 ֏
Альтернативные предложения2
Описание
Электроэлемент
N-Channel MOSFET, 660 mA, 200 V Depletion, 3 + Tab-Pin SOT-223 Infineon BSP149H6327XTSA1
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Manufacturer | Infineon |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSP149H6327XTSA1 SP001058818 |
| Product Category | MOSFET |
| RoHS | Details |
| Series | BSP149 |
| Id - непрерывный ток утечки | 660 mA |
| Pd - рассеивание мощности | 1.8 W |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1 Ohms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2.1 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 3.4 ns |
| Время спада | 21 ns |
| Высота | 1.6 mm |
| Длина | 6.5 mm |
| Другие названия товара № | SP001058604 BSP149H6906XTSA1 |
| Канальный режим | Depletion |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 400 mS |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | BSP149 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 45 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5.1 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка / блок | SOT-223-4 |
| Ширина | 3.5 mm |
| Channel Mode | Depletion |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Fall Time | 21 ns |
| Forward Transconductance - Min | 400 mS |
| Height | 1.6 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 660 mA |
| Length | 6.5 mm |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-223-4 |
| Pd - Power Dissipation | 1.8 W |
| Qg - Gate Charge | 14 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1 Ohms |
| Rise Time | 3.4 ns |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 45 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 5.1 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 200 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | -2.1 V |
| Width | 3.5 mm |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 660 mA |
| Maximum Drain Source Voltage | 200 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.048 |
