IRF9Z30
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 430 ֏
от 2 шт. —
2 890 ֏
от 5 шт. —
2 540 ֏
от 10 шт. —
2 370 ֏
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 430 ֏
Описание
Электроэлемент
P CHANNEL MOSFET, -50V, 18A, TO-220AB, Transistor Polarity:P Channel, Continuous Drain Current Id:-18A, Drain Source Voltage Vds:-50V, On Resistance Rds(on):93mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V, Threshold Voltage Vgs:-4V, MSL:- , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Transistor Polarity | P Channel; Continuous Drain Current Id |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | IRF9Z |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Base Product Number | IRF9 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| ECCN | EAR99 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 900pF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Other Related Documents | http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf |
| Package | Tube |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Power Dissipation (Max) | 74W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 140mOhm @ 9.3A, 10V |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Вес, г | 3.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 204 КБ
Datasheet IRF9Z30PBF
pdf, 133 КБ
Datasheet IRF9Z30PBF
pdf, 255 КБ
Документация
pdf, 254 КБ
