Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Diodes › FMMT458

FMMT458

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

580 ֏

Мин. кол-во для заказа 2 шт.

от 5 шт. — 339 ֏

от 10 шт. — 260 ֏

от 100 шт. — 182 ֏

2 шт. на сумму 1 160 ֏

Номенклатурный номер: 8001988994

Бренд: DIODES INC.

Описание

Электроэлемент

BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 400V, Transistor Polarity:NPN, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:400V, Transition Frequency ft:50MHz, Power Dissipation Pd:500mW, DC Collector Current:225mA, DC Current Gain hFE:100hFE, No. of Pins:3Pins , RoHS Compliant: Yes

Технические параметры

Brand	Diodes Incorporated
Collector- Base Voltage VCBO	400 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	400 V
Collector-Emitter Saturation Voltage	500 mV
Configuration	Single
Continuous Collector Current	0.225 A
Emitter- Base Voltage VEBO	5 V
Factory Pack Quantity	3000
Gain Bandwidth Product fT	50 MHz
Height	1.1 mm
Length	3 mm
Manufacturer	Diodes Incorporated
Maximum DC Collector Current	0.225 A
Maximum Operating Temperature	+150 C
Minimum Operating Temperature	-55 C
Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3
Packaging	Reel
Pd - Power Dissipation	0.5 W
Product Category	Bipolar Transistors-BJT
RoHS	Details
Series	FMMT458
Transistor Polarity	NPN
Width	1.4 mm
Pd - рассеивание мощности	500 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Высота	1.1 mm
Длина	3 mm
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора	0.225 A
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	400 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	400 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	500 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	0.225 A
Подкатегория	Transistors
Полярность транзистора	NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	50 MHz
Размер фабричной упаковки	3000
Серия	FMMT458
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Diodes Incorporated
Упаковка / блок	SOT-23-3
Ширина	1.4 mm
Base Product Number	FMMT458 ->
Current - Collector (Ic) (Max)	225mA
Current - Collector Cutoff (Max)	100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce	100 @ 50mA, 10V
ECCN	EAR99
Frequency - Transition	50MHz
HTSUS	8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Power - Max	500mW
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Supplier Device Package	SOT-23-3
Transistor Type	NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	500mV @ 6mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	400V
EU RoHS	Compliant
ECCN (US)	EAR99
Part Status	Active
HTS	8541.29.00.95
Type	NPN
Material	Si
Number of Elements per Chip	1
Maximum Collector Base Voltage (V)	400
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	400
Maximum Emitter Base Voltage (V)	7
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)	0.9@5mA@50mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.5@6mA@50mA\|0.2@2mA@20mA
Maximum DC Collector Current (A)	0.225
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)	100
Minimum DC Current Gain	100@50mA@10V\|100@1mA@10V\|15@100mA@10V
Maximum Power Dissipation (mW)	500
Maximum Transition Frequency (MHz)	50(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)	-55
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Supplier Temperature Grade	Automotive
Automotive	No
Standard Package Name	SOT-23
Pin Count	3
Supplier Package	SOT-23
Military	No
Mounting	Surface Mount
Package Height	0.98
Package Length	2.9
Package Width	1.3
PCB changed	3
Lead Shape	Gull-wing
Collector-Emitter Breakdown Voltage	400V
Maximum Collector Base Voltage	400 V
Maximum Collector Emitter Voltage	400 V
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	50 MHz
Maximum Power Dissipation	500 mW
Package Type	SOT-23
Transistor Configuration	Single
Статический коэффициент передачи тока hfe мин	100
Вес, г	0.197