FMMT593
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
580 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
313 ֏
от 10 шт. —
234 ֏
от 95 шт. —
159 ֏
2 шт.
на сумму 1 160 ֏
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, PNP, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:100V; Transition Frequency ft:150MHz; Power Dissipation Pd:500mW; DC Collector Current:-1A; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor Case
Технические параметры
| Brand | Diodes Incorporated |
| Collector- Base Voltage VCBO | -120 V |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max | -100 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage | -300 mV |
| Configuration | Single |
| Continuous Collector Current | -1 A |
| Emitter- Base Voltage VEBO | -5 V |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Gain Bandwidth Product fT | 50 MHz |
| Height | 1.1 mm |
| Length | 3 mm |
| Manufacturer | Diodes Incorporated |
| Maximum DC Collector Current | 1 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 0.5 W |
| Product Category | Bipolar Transistors-BJT |
| RoHS | Details |
| Series | FMMT593 |
| Transistor Polarity | PNP |
| Width | 1.4 mm |
| Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 0.3 V |
| Максимальная рабочая температура | +150 °C |
| Максимальная рабочая частота | 50 MHz |
| Количество элементов на ИС | 1 |
| Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер | 1,1 В |
| Длина | 3мм |
| Transistor Configuration | Одинарный |
| Максимальное напряжение коллектор-база | 120 V |
| Производитель | DiodesZetex |
| Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) | 100 В |
| Тип корпуса | SOT-23 |
| Максимальное рассеяние мощности | 500 мВт |
| Тип монтажа | Surface Mount |
| Минимальная рабочая температура | -55 °C |
| Ширина | 1.4мм |
| Максимальный пост. ток коллектора | 1 A |
| Тип транзистора | PNP |
| Высота | 1.1мм |
| Число контактов | 3 |
| Размеры | 1.1 x 3 x 1.4мм |
| Максимальное напряжение эмиттер-база | 5 В |
| Минимальный коэффициент усиления по постоянному току | 50 |
| Product Type | BJTs-Bipolar Transistors |
| Subcategory | Transistors |
| Maximum Collector Base Voltage | 120 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 100 V |
| Maximum Emitter Base Voltage | 5 V |
| Maximum Operating Frequency | 50 MHz |
| Maximum Power Dissipation | 500 mW |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Type | PNP |
| Вес, г | 0.181 |
