IRFZ44S
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 350 ֏
от 2 шт. —
2 820 ֏
от 5 шт. —
2 530 ֏
1 шт.
на сумму 3 350 ֏
Описание
Электроэлемент
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 50A I(D), 60V, 0.028OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-263AB (Also Known As: IRFZ44S)
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 50(A) |
| Drain-Source On-Volt | 60(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 175C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | D2PAK |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 2+Tab |
| Polarity | N |
| Power Dissipation | 3.7(W) |
| Rad Hardened | No |
| Type | Power MOSFET |
| Id - непрерывный ток утечки | 50 A |
| Pd - рассеивание мощности | 150 W |
| Qg - заряд затвора | 67 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 28 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 4.83 mm |
| Длина | 10.67 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | IRFZ |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Ширина | 9.65 mm |
| Automotive | No |
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Material | Si |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 50 |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 28@10V |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 60 |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3700 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Part Status | Active |
| PCB changed | 2 |
| PPAP | No |
| Product Category | Power MOSFET |
| Standard Package Name | TO-263 |
| Supplier Package | D2PAK |
| Tab | Tab |
| Typical Fall Time (ns) | 92 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 67(Max) |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 67(Max)@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1900@25V |
| Typical Rise Time (ns) | 110 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 45 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 14 |
| Вес, г | 1.438 |
