IRF9333
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 020 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
800 ֏
от 100 шт. —
730 ֏
2 шт.
на сумму 2 040 ֏
Описание
Электроэлемент
P-Channel MOSFET, 9.2 A, 30 V, 8-Pin SOIC Infineon IRF9333TRPBF
Технические параметры
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 9.2 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 19.4@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 2500 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Standard Package Name | SOP |
| Supplier Package | SOIC N |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 25 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 14@4.5VI25@10V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 1110@25V |
| Вес, г | 0.161 |
