IRFZ10
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 690 ֏
от 2 шт. —
2 380 ֏
от 10 шт. —
2 100 ֏
1 шт.
на сумму 2 690 ֏
Описание
Категория продукта
N CHANNEL MOSFET, 60V, 10A, Transistor Polarity:N Channel, Continuous Drain Current Id:10A, Drain Source Voltage Vds:60V, On Resistance Rds(on):200mohm, Rds(on) Test Voltage Vgs:10V, Threshold Voltage Vgs:4V, Power Dissipation Pd:43W, RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Pd - рассеивание мощности | 43 W |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 200 mOhms |
| RoHS | Подробности |
| Vds - напряжение пробоя затвор-исток | 20 V |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 50 ns |
| Время спада | 19 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | +175 C |
| Минимальная рабочая температура | -55 C |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Производитель | Vishay |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Типичное время задержки выключения | 13 ns |
| Торговая марка | Vishay/Siliconix |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Qg - заряд затвора | 11 nC |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Высота | 15.49 mm |
| Длина | 10.41 mm |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Серия | IRFZ |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Ширина | 4.7 mm |
| Вес, г | 2.651 |
Техническая документация
Datasheet IRFZ10PBF
pdf, 1169 КБ
Документация
pdf, 1168 КБ
