IPP111N15N3G
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 800 ֏
от 2 шт. —
4 230 ֏
от 5 шт. —
3 820 ֏
от 7 шт. —
3 660 ֏
1 шт.
на сумму 4 800 ֏
Описание
Электроэлемент
N-Channel MOSFET, 83 A, 150 V, 3-Pin TO-220 Infineon IPP111N15N3GXKSA1
Технические параметры
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 500 |
| Fall Time | 9 ns |
| Forward Transconductance - Min | 47 S |
| Height | 15.65 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 83 A |
| Length | 10 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | Through Hole |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Packaging | Tube |
| Part # Aliases | IPP111N15N3GXK IPP111N15N3GXKSA1 SP000677860 |
| Pd - Power Dissipation | 214 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 55 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 9.4 mOhms |
| Rise Time | 35 ns |
| RoHS | Details |
| Series | OptiMOS 3 |
| Technology | Si |
| Tradename | OptiMOS |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 32 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 17 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 150 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Width | 4.4 mm |
| Id - непрерывный ток утечки | 83 A |
| Pd - рассеивание мощности | 214 W |
| Qg - заряд затвора | 55 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 150 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время нарастания | 35 ns |
| Время спада | 9 ns |
| Высота | 15.65 mm |
| Длина | 10 mm |
| Другие названия товара № | SP000677860 IPP111N15N3GXK IPP111N15N3GXKSA1 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Коммерческое обозначение | OptiMOS |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 47 S |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | OptiMOS 3 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 32 ns |
| Типичное время задержки при включении | 17 ns |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 740 КБ
