MMBT3906
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
401 ֏
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 5 шт. —
172 ֏
от 10 шт. —
88 ֏
от 100 шт. —
22 ֏
2 шт.
на сумму 802 ֏
Описание
Электроэлемент
TRANSISTOR, PNP, -40V, -200mA, 300mW, SOT-23, Transistor Polarity:PNP, Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V, Transition Frequency ft:250MHz, Power Dissipation Pd:300mW, DC Collector Current:-200mA, DC Current Gain hFE:100hFE , RoHS Compliant: Yes
Технические параметры
| Transistor Polarity | PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo |
| Maximum Collector Base Voltage | -40 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 40 V |
| Maximum DC Collector Current | 200 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | -5 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Minimum DC Current Gain | 100 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | PNP |
| Вид | PNP |
| Тип | биполярный |
| Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 81 КБ
Datasheet
pdf, 242 КБ
Datasheet MMBT3906-7-F
pdf, 74 КБ
MMBT3906
pdf, 247 КБ
Документация
pdf, 256 КБ
