IRF1010EZ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 200 ֏
от 2 шт. —
1 760 ֏
от 5 шт. —
1 410 ֏
от 10 шт. —
1 290 ֏
1 шт.
на сумму 2 200 ֏
Описание
Электроэлемент
Описание Транзистор полевой IRF1010EZPBF от известного производителя INFINEON является высокопроизводительным компонентом для монтажа THT. Оснащенный корпусом TO220AB, этот N-MOSFET транзистор обеспечивает ток стока до 84 А и способен выдерживать напряжение сток-исток до 60 В, что делает его идеальным для мощных применений. С мощностью до 140 Вт и низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,0085 Ом, он обеспечивает высокую эффективность и надежность в работе. Продукт с кодом IRF1010EZPBF представляет собой оптимальный выбор для разработчиков силовой электроники, ищущих компоненты с улучшенными характеристиками и длительным сроком службы. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | THT |
| Ток стока, А | 84 |
| Напряжение сток-исток, В | 60 |
| Мощность, Вт | 140 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.0085 |
| Корпус | TO220AB |
Технические параметры
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Id - непрерывный ток утечки | 84 A |
| Pd - рассеивание мощности | 140 W |
| Qg - заряд затвора | 58 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 8.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Высота | 15.65 mm |
| Длина | 10 mm |
| Другие названия товара № | SP001571244 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Торговая марка | Infineon Technologies |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Ширина | 4.4 mm |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 84 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 8.5 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 140 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-220AB |
| Pin Count | 3 |
| Series | HEXFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | Si |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Width | 4.83mm |
| Вес, г | 2.9 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 407 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet IRF1010EZPBF
pdf, 409 КБ
Datasheet IRF1010EZSTRLP
pdf, 417 КБ
